FDV301N MOSFET N-Ch sanly
♠ Önümiň beýany
Önümiň aýratynlygy | Aýratynlyk gymmaty |
Öndüriji: | onsemi |
Haryt kategoriýasy: | MOSFET |
RoHS: | Jikme-jiklikler |
Tehnologiýa: | Si |
Gurnama stili: | SMD / SMT |
Bukja / waka: | SOT-23-3 |
Tranzistor polýarlygy: | N-Kanal |
Kanallaryň sany: | 1 Kanal |
Vds - Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa: eniýesi: | 25 V. |
Id - Üznüksiz zeýkeş akymy: | 220 mA |
Rds On - Zeýkeş çeşmesine garşylyk: | 5 Ohms |
Vgs - Derwezäniň çeşmesi naprýa: eniýesi: | - 8 V, + 8 V. |
Vgs th - Derwezäniň çeşmesi çäk naprýa .eniýesi: | 700 mV |
S: Derwezäniň zarýady: | 700 sany |
Iň pes iş temperaturasy: | - 55 C. |
Iň ýokary iş temperaturasy: | + 150 C. |
Pd - Kuwwatyň ýaýramagy: | 350 mWt |
Kanal tertibi: | Güýçlendirmek |
Gaplamak: | Reel |
Gaplamak: | Lentany kesiň |
Gaplamak: | MouseReel |
Marka: | onsemi / Fairchild |
Sazlama: | Leeke |
Güýz wagty: | 6 ns |
Öňe geçiriji geçiriji - Min: | 0.2 S. |
Boý: | 1,2 mm |
Uzynlyk: | 2,9 mm |
Haryt: | MOSFET kiçi signal |
Haryt görnüşi: | MOSFET |
Wagtyň ýokarlanmagy: | 6 ns |
Seriýa: | FDV301N |
Zawod paketiniň mukdary: | 3000 |
Kiçi kategoriýa: | MOSFET |
Tranzistor görnüşi: | 1 N-Kanal |
Görnüşi: | FET |
Adaty öçürmek wagty: | 3.5 ns |
Adaty açyk gijikdirme wagty: | 3.2 ns |
Giňligi: | 1,3 mm |
Bölüm # lakamlar: | FDV301N_NL |
Bölüm agramy: | 0.000282 oz |
♠ Sanly FET, N-kanal FDV301N, FDV301N-F169
Bu N - Kanal logiki derejesini ýokarlandyrmak re modeiminiň meýdan tranzistory onseminiň eýeçiligi, ýokary öýjük dykyzlygy, DMOS tehnologiýasy arkaly öndürilýär.Bu gaty dykyzlyk prosesi, esasanam, döwlet garşylygyny azaltmak üçin düzülendir.Bu enjam esasanam sanly tranzistorlary çalyşmak üçin pes woltly programmalar üçin döredildi.Ikitaraplaýyn rezistorlar talap edilmeýänligi sebäpli, bu bir N - kanal FET birnäçe dürli sanly tranzistorlary, dürli garşylykly rezistor bahalaryny çalşyp biler.
• 25 V, 0.22 Üznüksiz, 0,5 pik
♦ RDS (açyk) = 5 @ VGS = 2.7 V.
♦ RDS (açyk) = 4 @ VGS = 4.5 V.
• 3 V zynjyrda göni işlemäge mümkinçilik berýän gaty pes derejeli derwezäniň talaplary.VGS (th) <1.06 V.
• Derwezeban - DÖB-iň berkligi üçin çeşme Zener.> 6 kW adam bedeniniň modeli
• Birnäçe NPN sanly tranzistorlary bir DMOS FET bilen çalyşyň
• Bu enjam Pb - Mugt we Halide Mugt