FQU2N60CTU MOSFET 600V N-kanal Adv Q-FET C seriýasy
♠ Önümiň beýany
| Önümiň aýratynlygy | Aýratynlyk gymmaty |
| Öndüriji: | onsemi |
| Haryt kategoriýasy: | MOSFET |
| Tehnologiýa: | Si |
| Gurnama stili: | Deşik arkaly |
| Bukja / waka: | TO-251-3 |
| Tranzistor polýarlygy: | N-Kanal |
| Kanallaryň sany: | 1 Kanal |
| Vds - Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa: eniýesi: | 600 V. |
| Id - Üznüksiz zeýkeş akymy: | 1.9 A. |
| Rds On - Zeýkeş çeşmesine garşylyk: | 4.7 Ohms |
| Vgs - Derwezäniň çeşmesi naprýa: eniýesi: | - 30 V, + 30 V. |
| Vgs th - Derwezäniň çeşmesi çäk naprýa .eniýesi: | 2 V. |
| S: Derwezäniň zarýady: | 12 nC |
| Iň pes iş temperaturasy: | - 55 C. |
| Iň ýokary iş temperaturasy: | + 150 C. |
| Pd - Kuwwatyň ýaýramagy: | 2,5 Wt |
| Kanal tertibi: | Güýçlendirmek |
| Gaplamak: | Tube |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Sazlama: | Leeke |
| Güýz wagty: | 28 ns |
| Öňe geçiriji geçiriji - Min: | 5 S. |
| Boý: | 6,3 mm |
| Uzynlyk: | 6,8 mm |
| Haryt görnüşi: | MOSFET |
| Wagtyň ýokarlanmagy: | 25 ns |
| Seriýa: | FQU2N60C |
| Zawod paketiniň mukdary: | 5040 |
| Kiçi kategoriýa: | MOSFET |
| Tranzistor görnüşi: | 1 N-Kanal |
| Görnüşi: | MOSFET |
| Adaty öçürmek wagty: | 24 ns |
| Adaty açyk gijikdirme wagty: | 9 ns |
| Giňligi: | 2,5 mm |
| Bölüm agramy: | 0.011993 oz |
♠ MOSFET - N-kanal, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
Bu N - Kanaly güýçlendirmek re modeiminiň güýji MOSFET onseminiň eýeçilik zolak zolagy we DMOS tehnologiýasy arkaly öndürilýär. Bu ösen MOSFET tehnologiýasy, esasanam, döwlet garşylygyny azaltmak we ýokary kommutasiýa öndürijiligini we güýçli güýçli güýji üpjün etmek üçin düzüldi. Bu enjamlar kommutasiýa re modeiminiň elektrik üpjünçiligi, işjeň güýç faktoryny düzetmek (PFC) we elektron lampa balastlary üçin amatlydyr.
• 1,9 A, 600 V, RDS (açyk) = 4.7 (Maks.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• Pes derwezäniň zarýady (görnüşi 8.5 nC)
• Pes Crss (4.3 pF görnüş)
• 100% Güýç synag edildi
• Bu enjamlar Halid Mugt we RoHS laýykdyr
