SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Gysga düşündiriş:

Öndürijiler: Wişaý
Haryt kategoriýasy: MOSFET
Maglumat sahypasy:SI7119DN-T1-GE3
Düşündiriş: MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS ýagdaýy: RoHS laýyk


Önümiň jikme-jigi

Aýratynlyklary

GÖRNÜŞLER

Haryt bellikleri

♠ Önümiň beýany

Önümiň aýratynlygy Aýratynlyk gymmaty
Öndüriji: Wişaý
Haryt kategoriýasy: MOSFET
RoHS: Jikme-jiklikler
Tehnologiýa: Si
Gurnama stili: SMD / SMT
Bukja / waka: PowerPAK-1212-8
Tranzistor polýarlygy: P-Kanal
Kanallaryň sany: 1 Kanal
Vds - Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa: eniýesi: 200 V.
Id - Üznüksiz zeýkeş akymy: 3.8 A.
Rds On - Zeýkeş çeşmesine garşylyk: 1.05 Ohms
Vgs - Derwezäniň çeşmesi naprýa: eniýesi: - 20 V, + 20 V.
Vgs th - Derwezäniň çeşmesi çäk naprýa .eniýesi: 2 V.
S: Derwezäniň zarýady: 25 nC
Iň pes iş temperaturasy: - 50 C.
Iň ýokary iş temperaturasy: + 150 C.
Pd - Kuwwatyň ýaýramagy: 52 Wt
Kanal tertibi: Güýçlendirmek
Söwda ady: TrenchFET
Gaplamak: Reel
Gaplamak: Lentany kesiň
Gaplamak: MouseReel
Marka: Wişaý ýarymgeçirijiler
Sazlama: Leeke
Güýz wagty: 12 ns
Öňe geçiriji geçiriji - Min: 4 S.
Boý: 1,04 mm
Uzynlyk: 3,3 mm
Haryt görnüşi: MOSFET
Wagtyň ýokarlanmagy: 11 ns
Seriýa: SI7
Zawod paketiniň mukdary: 3000
Kiçi kategoriýa: MOSFET
Tranzistor görnüşi: 1 P-Kanal
Adaty öçürmek wagty: 27 ns
Adaty açyk gijikdirme wagty: 9 ns
Giňligi: 3,3 mm
Bölüm # lakamlar: SI7119DN-GE3
Bölüm agramy: 1 gr

  • Öňki:
  • Indiki:

  • • IEC 61249-2-21 laýyklykda galogen ýok

    • TrenchFET® Power MOSFET

    • Kiçi göwrümli we pes 1,07 mm profilli pes termiki garşylyk PowerPAK® paketi

    • 100% UIS we Rg synagdan geçirildi

    • Aralyk DC / DC elektrik üpjünçiliginde işjeň gysgyç

    Degişli önümler