VNS1NV04DPTR-E derweze sürüjileri OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Önümiň beýany
| Önümiň aýratynlygy | Aýratynlyk gymmaty |
| Öndüriji: | STMikroelektronika |
| Haryt kategoriýasy: | Derweze sürüjileri |
| Haryt: | MOSFET derweze sürüjileri |
| Görnüşi: | Pes tarap |
| Gurnama stili: | SMD / SMT |
| Bukja / waka: | SOIC-8 |
| Sürüjileriň sany: | 2 Sürüji |
| Netijeleriň sany: | 2 Çykyş |
| Çykyş akymy: | 1.7 A. |
| Üpjünçilik naprýa .eniýesi - Maks: | 24 V. |
| Wagtyň ýokarlanmagy: | 500 ns |
| Güýz wagty: | 600 ns |
| Iň pes iş temperaturasy: | - 40 C. |
| Iň ýokary iş temperaturasy: | + 150 C. |
| Seriýa: | VNS1NV04DP-E |
| Kwalifikasiýa: | AEC-Q100 |
| Gaplamak: | Reel |
| Gaplamak: | Lentany kesiň |
| Gaplamak: | MouseReel |
| Marka: | STMikroelektronika |
| Çyglylyga duýgur: | Hawa |
| Amal üpjünçiligi akymy: | 150 uA |
| Haryt görnüşi: | Derweze sürüjileri |
| Zawod paketiniň mukdary: | 2500 |
| Kiçi kategoriýa: | PMIC - Güýç dolandyryş IC |
| Tehnologiýa: | Si |
| Bölüm agramy: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II doly goragly MOSFET
VNS1NV04DP-E, adaty SO-8 paketinde ýerleşdirilen iki monolit OMNIFET II çipi bilen emele gelen enjam. OMNIFET II STMicroelectronics VIPower ™ M0-3 tehnologiýasynda işlenip düzülendir: adaty DC MOSFET-lerini DC-den 50KHz çenli programmalar bilen çalyşmak üçin niýetlenendir. Malylylyk ýapylyşynda gurlan, çyzykly tok çäklendirmesi we aşa woltly gysgyç çipi kyn şertlerde goraýar.
Nädogry seslenme giriş nokadyndaky naprýa .eniýe gözegçilik edip kesgitlenip bilner.
• Çyzykly tok çäklendirmesi
• malylylyk ýapylmagy
• Gysga zynjyrdan goramak
• Toplumly gysgyç
• Giriş nokadyndan çekilen pes tok
• Giriş düwmesiniň üsti bilen anyklaýyş seslenmesi
• DÖB-den goramak
• Kuwwatly mosfetiň derwezesine göni girmek (analog sürmek)
• Adaty kuwwatly çybyn bilen gabat gelýär
• 2002/95 / EC opeewropanyň görkezmesine laýyklykda
