VNS1NV04DPTR-E derweze sürüjileri OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Önümiň beýany
| Önümiň aýratynlygy | Aýratynlyk gymmaty |
| Öndüriji: | STMikroelektronika |
| Haryt kategoriýasy: | Derweze sürüjileri |
| Haryt: | MOSFET derweze sürüjileri |
| Görnüşi: | Pes tarap |
| Gurnama stili: | SMD / SMT |
| Bukja / waka: | SOIC-8 |
| Sürüjileriň sany: | 2 Sürüji |
| Netijeleriň sany: | 2 Çykyş |
| Çykyş akymy: | 1.7 A. |
| Üpjünçilik naprýa .eniýesi - Maks: | 24 V. |
| Wagtyň ýokarlanmagy: | 500 ns |
| Güýz wagty: | 600 ns |
| Iň pes iş temperaturasy: | - 40 C. |
| Iň ýokary iş temperaturasy: | + 150 C. |
| Seriýa: | VNS1NV04DP-E |
| Kwalifikasiýa: | AEC-Q100 |
| Gaplamak: | Reel |
| Gaplamak: | Lentany kesiň |
| Gaplamak: | MouseReel |
| Marka: | STMikroelektronika |
| Çyglylyga duýgur: | Hawa |
| Amal üpjünçiligi akymy: | 150 uA |
| Haryt görnüşi: | Derweze sürüjileri |
| Zawod paketiniň mukdary: | 2500 |
| Kiçi kategoriýa: | PMIC - Güýç dolandyryş IC |
| Tehnologiýa: | Si |
| Bölüm agramy: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II doly goralýan Power MOSFET
VNS1NV04DP-E, adaty SO-8 paketinde ýerleşdirilen iki monolit OMNIFET II çipi bilen emele gelen enjam.OMNIFET II STMicroelectronics VIPower ™ M0-3 tehnologiýasynda işlenip düzülendir: adaty DC MOSFET-lerini DC-den 50KHz-a çenli amaly çalyşmak üçin niýetlenendir.Malylylyk ýapylyşynda gurlan, çyzykly tok çäklendirmesi we aşa woltly gysgyç çipi kyn şertlerde goraýar.
Nädogry seslenme giriş nokadyndaky naprýa .eniýe gözegçilik edip kesgitlenip bilner.
• Çyzykly tok çäklendirmesi
• malylylyk ýapylmagy
• Gysga zynjyrdan goramak
• Toplumly gysgyç
• Giriş nokadyndan çekilen pes tok
• Giriş düwmesiniň üsti bilen anyklaýyş seslenmesi
• DÖB-den goramak
• Kuwwatly mosfetiň derwezesine göni girmek (analog sürmek)
• Adaty kuwwatly çybyn bilen gabat gelýär
• 2002/95 / EC opeewropanyň görkezmesine laýyklykda
