VNS3NV04DPTR-E derweze sürüjileri OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Önümiň beýany
| Önümiň aýratynlygy | Aýratynlyk gymmaty |
| Öndüriji: | STMikroelektronika |
| Haryt kategoriýasy: | Derweze sürüjileri |
| RoHS: | Jikme-jiklikler |
| Haryt: | MOSFET derweze sürüjileri |
| Görnüşi: | Pes tarap |
| Gurnama stili: | SMD / SMT |
| Bukja / waka: | SOIC-8 |
| Sürüjileriň sany: | 2 Sürüji |
| Netijeleriň sany: | 2 Çykyş |
| Çykyş akymy: | 5 A. |
| Üpjünçilik naprýa .eniýesi - Maks: | 24 V. |
| Wagtyň ýokarlanmagy: | 250 ns |
| Güýz wagty: | 250 ns |
| Iň pes iş temperaturasy: | - 40 C. |
| Iň ýokary iş temperaturasy: | + 150 C. |
| Seriýa: | VNS3NV04DP-E |
| Kwalifikasiýa: | AEC-Q100 |
| Gaplamak: | Reel |
| Gaplamak: | Lentany kesiň |
| Gaplamak: | MouseReel |
| Marka: | STMikroelektronika |
| Çyglylyga duýgur: | Hawa |
| Amal üpjünçiligi akymy: | 100 uA |
| Haryt görnüşi: | Derweze sürüjileri |
| Zawod paketiniň mukdary: | 2500 |
| Kiçi kategoriýa: | PMIC - Güýç dolandyryş IC |
| Tehnologiýa: | Si |
| Bölüm agramy: | 0.005291 oz |
♠ OMNIFET II doly goragly MOSFET
VNS3NV04DP-E enjamy, adaty SO-8 paketinde ýerleşdirilen iki monolit çipden (OMNIFET II) ybarat. OMNIFET II STMicroelectronics ™ VIPower ™ M0-3 tehnologiýasy arkaly işlenip düzülendir we 50 KHz DC programmalarynda adaty Power MOSFET-leri çalyşmak üçin niýetlenendir.
Gurlan termiki ýapyklyk, çyzykly tok çäklendirmesi we aşa woltly gysgyç çipi kyn şertlerde goraýar.
Nädogry seslenme giriş nokadyndaky naprýa .eniýe gözegçilik arkaly kesgitlenip bilner
■ ECOPACK®: gurşunsyz we RoHS laýyk
■ Awtoulag derejesi: AEC görkezmelerini berjaý etmek
Current Çyzykly tok çäklendirmesi
Malylylyk ýapylmagy
■ Gysga zynjyrdan goramak
■ Toplumly gysgyç
Input Giriş nokadyndan çekilen pes tok
Input Giriş düwmesiniň üsti bilen anyklaýyş seslenmesi
■ DÖB goragy
Power Power MOSFET derwezesine göni girmek (analog sürmek)
Standard Adaty Power MOSFET bilen gabat gelýär
