Mikroelektronika institutynyň täze hafnium esasly ferroelektrik ýat çipi 2023-nji ýylda geçirilen 70-nji Halkara Gaty Döwlet Toplumlaýyn Dolandyryş Maslahatynda açyldy.

Mikroelektronika institutynyň akademigi Liu Ming tarapyndan işlenip düzülen we dizaýn edilen hafnium esasly ferroelektrik ýat çipiniň täze görnüşi, 2023-nji ýylda integrirlenen zynjyr dizaýnynyň iň ýokary derejesi bolan IEEE Halkara gaty döwlet aýlaw konferensiýasynda (ISSCC) hödürlendi.

Performanceokary öndürijilikli üýtgemeýän ýadyň (eNVM) sarp ediş elektronikasynda, awtonom ulaglarda, önümçilik gözegçiligi we Zatlar interneti üçin gyradaky enjamlarda SOC çiplerine uly isleg bildirilýär.Ferroelektrik ýady (FeRAM) ýokary ygtybarlylygyň, aşa pes energiýa sarp etmegiň we ýokary tizligiň artykmaçlyklaryna eýedir.Hakyky wagtda köp mukdarda maglumat ýazgysynda, maglumatlary ýygy-ýygydan okamakda we ýazmakda, az energiýa sarp etmekde we oturdylan SoC / SiP önümlerinde giňden ulanylýar.PZT materialyna esaslanýan ferroelektrik ýady köpçülikleýin önümçilige ýetdi, ýöne materialy CMOS tehnologiýasy bilen gabat gelmeýär we kiçeltmek kyn, adaty ferroelektrik ýadynyň ösüş prosesine sebäp bolýar we içerki integrasiýa aýratyn önümçilik liniýasynyň goldawyna mätäç, ýaýratmak kyn. uly masştabda.Täze hafniý esasly ferroelektrik ýadynyň kiçi göwrümliligi we CMOS tehnologiýasy bilen utgaşmagy ony akademiýada we senagatda umumy alada döredýän gözleg nokadyna öwürýär.Hafnium esasly ferroelektrik ýady täze ýadyň indiki nesliniň möhüm ösüş ugry hökmünde kabul edildi.Häzirki wagtda hafniý esasly ferroelektrik ýadynda geçirilen gözleglerde henizem birligiň ygtybarlylygynyň ýeterlik däldigi, doly periferiýa zynjyry bilen çip dizaýnynyň ýoklugy we eNVM-de ulanylmagyny çäklendirýän çip derejesiniň öndürijiligini hasam barlamak ýaly meseleler bar.
 
Içine goýlan hafniý esasly ferroelektrik ýadynyň ýüzbe-ýüz bolýan kynçylyklaryny göz öňünde tutup, Mikroelektronika institutyndan akademik Liu Mingiň topary uly göwrümli integrasiýa platformasyna esaslanyp dünýäde ilkinji gezek megab ululykdaky FeRAM synag çipini taslady we durmuşa geçirdi. CMOS bilen gabat gelýän hafniý esasly ferroelektrik ýady we 130nm CMOS işinde HZO ferroelektrik kondensatorynyň uly göwrümli integrasiýasyny üstünlikli tamamlady.Temperaturany duýmak üçin ECC-iň kömegi bilen ýazuw sürüjisi zynjyry we awtomatiki ofset ýok etmek üçin duýgur güýçlendiriji zynjyr teklip edilýär we 1012 aýlaw dowamlylygy we 7ns ýazmak we 5ns okamak wagty gazanylýar, bu şu wagta çenli iň gowy derejelerdir.
 
“912 Mb HZO esasly 1012 sikl çydamlylygy we 5 / 7ns ECC goldawly maglumatlary täzelemek arkaly okamak / ýazmak” kagyzy netijelere esaslanýar we “Offset-Canceled Sense güýçlendiriji” ISSCC 2023-de saýlandy we çip konferensiýada görkezilmegi üçin ISSCC Demo Sessiýasynda saýlandy.Yangaň Jianguo kagyzyň ilkinji awtory, Liu Ming bolsa degişli ýazyjy.
 
Baglanyşykly işler Hytaýyň Milli Tebigat Ylmy Gaznasy, Ylym we Tehnologiýa Ministrliginiň Milli Esasy Gözleg we Ösüş Maksatnamasy we Hytaý Ylymlar akademiýasynyň B derejeli synag taslamasy tarapyndan goldanýar.
s1(9Mb Hafnium esasly FeRAM çipiniň we çip öndürijiliginiň synagy)


Iş wagty: 15-2023-nji aprel